检方在起诉书中指控崔珍奭非法获取三星的商业机密，意图在距离中国西安三星工厂仅1.5公里的地方建造半导体厂。
一名遭控工业间谍罪而被关押在拘留中心的三星电子前高管向路透社寄出手写信，否认他试图利用三星电子开发的敏感讯息在中国“復刻”三星晶片厂的指控。
该名前高管崔珍奭在信中详细阐述他的辩词，这是他自5月25日被关押以来首次向媒体发表评论，并表示有关西安厂的指控并未得到证实。
韩国检方6月稍早在起诉书中指控崔珍奭非法获取三星的商业机密，意图在距离中国西安三星工厂仅1.5公里的地方建造半导体厂。
崔珍奭被关押在首尔以南城市水原市一处拘留中心，三星总部就在水原市。他先前透过律师否认所有指控。
崔珍奭在信中表示，原本计划要替鸿海打造新厂，对DRAM记忆体晶片进行早期测试生产，三星西安厂生产的则是储存型快闪记忆体（NAND Flash）。
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崔珍奭表示，DRAM制程技术与制造NAND快闪记忆体有30%以上的不同，DRAM制程更加复杂，而且制造这两种晶片所使用的一些设备也不同。
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崔珍奭在信中表示：“他们使用不同的设备，而（三星）NAND快闪记忆体设备的设计对我们来说确实没有用处。”
路透社採访几名未参与此案的半导体业专家证实，生产NAND和DRAM的制程和使用的设备有差异，但没有具体说明。
三星以调查正在进行为由拒绝置评。
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