长鑫存储HBM记忆体取得进一步进展。
英媒引述消息人士和相关文件指出，中国晶片制造商长鑫存储等开发用于人工智慧（AI）伺服器GPU搭载的高频宽记忆体（HBM）晶片已获进展，正处于生产的早期阶段。同时，华为正设定目标，要和其他国内业者合作在2026年前生产HBM2晶片。
消息人士透露，中国DRAM晶片制造商龙头长鑫存储与晶片封装测试业者通富微电，已合作开发一款HBM晶片样品，且正在向客户展示。长鑫存储和其他中国晶片企业也一直在与日韩半导体设备公司定期开会，以购买HBM的开发工具。
长鑫存储、通富微电和华为申请的专利表明，在中国开发HBM的计划至少能追溯到3年前。顾问机构Anaqua的AcclaimIP数据库显示，长鑫存储已在美国、中国及台湾申请近130项专利，分别涉及与HBM晶片制造和功能相关的不同技术问题。
4月公布的一项中国专利显示，长鑫存储正在研究混合键合（hybrid bonding）等先进封装技术，以制造更强大的HBM产品。另一份文件显示，长鑫存储也在投资开发制造HBM3的所需技术。
武汉新芯也正在建设一家工厂，每月将能生产3000片12吋HBM晶圆。企业数据库企查查（qicacha）的文件显示，这座工厂原订今年2月开工兴建。
HBM市场目前由韩国SK海力士和三星电子、以及美国的美光主导，都已生产最新标准的HBM3晶片，并正在努力在今年向客户推出第5代HBM或HBM3E。虽然美国并未限制出口HBM晶片，但HBM3晶片是使用美国技术制造，根据管制规定，华为等许多中企都被禁止使用美国技术。
White Oak资本管理公司投资总监Nori Chou估算，中国晶片制造商在HBM领域仍落后全球其他竞争对手十年。不过，在美国加强管制对中国出口先进晶片和其他一些零组件之际，中国开发HBM获致进展，即使只是较旧版本的HBM，也象征北京追求科技自给自足的最新里程碑。
